NTGS1135PT1G

Številka izdelka proizvajalca:

NTGS1135PT1G

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

NTGS1135PT1G-DG

Opis:

MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP

Podroben opis:

P-Channel 8 V 4.6A (Ta) 970mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12858154

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

NTGS1135PT1G Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

onsemi

Pakiranje

-

Serije

-

Stanje izdelka

Obsolete

Vrsta FET

P-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

8 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

4.6A (Ta)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

1.2V, 4.5V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

31mOhm @ 4.6A, 4.5V

vgs(th) (maks) @ id

850mV @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

21 nC @ 4.5 V

Vgs (maks)

±6V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

2200 pF @ 6 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

970mW (Ta)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

6-TSOP

Paket / Primer

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Osnovna številka izdelka

NTGS11

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

NTGS1135PT1G-DG

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

2156-NTGS1135PT1G-ONTR

ONSONSNTGS1135PT1G

Standardni paket

3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

infineon-technologies

IPS60R800CEAKMA1

CONSUMER

onsemi

NTP75N03-6G

MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB

onsemi

NVMFS5C468NLT3G

MOSFET N-CH 40V 5DFN

onsemi

NTP18N06

MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB