Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
NTHD3102CT1G
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
NTHD3102CT1G-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET
Podroben opis:
Mosfet Array 20V 4A, 3.1A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Zaloga:
5 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12841200
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NTHD3102CT1G Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Cut Tape (CT)
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
N and P-Channel
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
20V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4A, 3.1A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
45mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
7.9nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
510pF @ 10V
Moč - največja
1.1W
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SMD, Flat Lead
Paket naprav dobavitelja
ChipFET™
Osnovna številka izdelka
NTHD3102
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
NTHD3102C
HTML tehnični list
NTHD3102CT1G-DG
Tehnični listi
NTHD3102CT1G
Dodatne informacije
Druga imena
=NTHD3102CT1GOSCT-DG
NTHD3102CT1GOSDKR
NTHD3102CT1GOSTR
NTHD3102CT1G-DG
NTHD3102CT1GOSCT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
NTHD3100CT1G
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
5410
ŠTEVILKA DELA
NTHD3100CT1G-DG
CENA ENOTE
0.34
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
MMDF2C03HDR2
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
NTMFD4C20NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
NTJD4105CT2
MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
NVMFD5875NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN