Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
NTHD5903T1G
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
NTHD5903T1G-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Podroben opis:
Mosfet Array 20V 2.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12841859
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NTHD5903T1G Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 P-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
20V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.2A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
155mOhm @ 2.2A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
600mV @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
7.4nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
-
Moč - največja
1.1W
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SMD, Flat Lead
Paket naprav dobavitelja
ChipFET™
Osnovna številka izdelka
NTHD59
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
NTHD5903
HTML tehnični list
NTHD5903T1G-DG
Tehnični listi
NTHD5903T1G
Dodatne informacije
Druga imena
=NTHD5903T1GOSCT-DG
NTHD5903T1GOSCT
2156-NTHD5903T1G
NTHD5903T1GOS
2156-NTHD5903T1G-ONTR-DG
NTHD5903T1GOSTR
ONSONSNTHD5903T1G
NTHD5903T1GOS-DG
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
MCH6603-TL-H
MOSFET 2P-CH 50V 0.14A 6MCPH
NVMFD5C668NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 15.5A/68A 8DFN
AUIRF7313Q
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
NTZD3155CT1H
MOSFET N/P-CH 20V SOT563