Številka izdelka proizvajalca:
NTJD3158CT2G
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
NTJD3158CT2G-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 20V 0.63A SC88
Podroben opis:
Mosfet Array 20V 630mA, 820mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Zaloga:
12856576
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NTJD3158CT2G Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
N and P-Channel
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
20V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
630mA, 820mA
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
375mOhm @ 630mA, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
46pF @ 20V
Moč - največja
270mW
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket naprav dobavitelja
SC-88/SC70-6/SOT-363
Osnovna številka izdelka
NTJD31
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
NTJD4105CT2G
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
5990
ŠTEVILKA DELA
NTJD4105CT2G-DG
CENA ENOTE
0.08
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NVMFD5877NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
NDS8858H
MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC
NVMFD5C446NLT1G
MOSFET 2N-CH 40V 25A/145A 8DFN