Številka izdelka proizvajalca:
NTJD4152PT1G
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
NTJD4152PT1G-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Podroben opis:
Mosfet Array 20V 880mA 272mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Zaloga:
15411 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12842210
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NTJD4152PT1G Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 P-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
20V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
880mA
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
260mOhm @ 880mA, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
2.2nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
155pF @ 20V
Moč - največja
272mW
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket naprav dobavitelja
SC-88/SC70-6/SOT-363
Osnovna številka izdelka
NTJD4152
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
NTJD4152PT1GOSDKR
NTJD4152PT1GOSCT
NTJD4152PT1GOSTR
2832-NTJD4152PT1GTR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
QJD1210010
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
NVMD6P02R2G
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
MCH6663-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 1.8A 6MCPH
