NTMD4N03R2G
Številka izdelka proizvajalca:

NTMD4N03R2G

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

NTMD4N03R2G-DG

Opis:

MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Podroben opis:
Mosfet Array 30V 4A 2W Surface Mount 8-SOIC

Zaloga:

31663 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12859759
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

NTMD4N03R2G Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
30V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
60mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
16nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
400pF @ 20V
Moč - največja
2W
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Osnovna številka izdelka
NTMD4

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
NTMD4N03R2GOS
NTMD4N03R2GOSTR
ONSONSNTMD4N03R2G
NTMD4N03R2GOSDKR
=NTMD4N03R2GOSCT-DG
NTMD4N03R2GOS-DG
NTMD4N03R2GOSCT
2156-NTMD4N03R2G-OS
Standardni paket
2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
onsemi

NVMFD5489NLWFT1G

MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8DFN

onsemi

NTMD2C02R2

MOSFET N/P-CH 20V 5.2A 8SOIC

onsemi

NTTD1P02R2

MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MSOP

panasonic

UP0497900L

MOSFET N/P-CH 50V/30V SSMINI-6P