NTMFD5C470NLT1G
Številka izdelka proizvajalca:

NTMFD5C470NLT1G

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

NTMFD5C470NLT1G-DG

Opis:

MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Podroben opis:
Mosfet Array 40V 11A (Ta), 36A (Tc) 3W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Zaloga:

5718 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12857062
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

NTMFD5C470NLT1G Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Last Time Buy
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
-
Odtok do napetosti vira (vdss)
40V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11A (Ta), 36A (Tc)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
11.5mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 20µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
9nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
590pF @ 25V
Moč - največja
3W (Ta), 24W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Paket naprav dobavitelja
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Osnovna številka izdelka
NTMFD5

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
NTMFD5C470NLT1GOSCT
NTMFD5C470NLT1GOSTR
NTMFD5C470NLT1G-DG
NTMFD5C470NLT1GOSDKR
2832-NTMFD5C470NLT1GTR
Standardni paket
1,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
renesas-electronics-america

UPA1970TE-T1-AT

MOSFET 2N-CH 20V 2.2A SC95-6

onsemi

STZD3155CT1G

MOSFET 20V SOT563

onsemi

NTHD5904T1

MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET

onsemi

NVMFD5C680NLT1G

MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN