Številka izdelka proizvajalca:
NTMFS4825NFET1G
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
NTMFS4825NFET1G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Podroben opis:
N-Channel 30 V 17A (Ta), 171A (Tc) 950mW (Ta), 96.2W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Zaloga:
12930602
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NTMFS4825NFET1G Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
17A (Ta), 171A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
40.2 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5660 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Primer
8-PowerTDFN, 5 Leads
Osnovna številka izdelka
NTMFS4
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
NTMFS4825NFET1GOSDKR
2156-NTMFS4825NFET1G-ONTR-DG
ONSONSNTMFS4825NFET1G
NTMFS4825NFET1GOSCT
NTMFS4825NFET1GOSTR
2156-NTMFS4825NFET1G
NTMFS4825NFET1G-DG
Standardni paket
1,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
3 (168 Hours)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FQPF2NA90
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220F
AO3418L
MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
FDP18N20F
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
