Številka izdelka proizvajalca:
NTMFS4C09NT1G
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
NTMFS4C09NT1G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
Podroben opis:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 760mW (Ta), 25.5W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Zaloga:
5433 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12858532
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NTMFS4C09NT1G Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.1V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
10.9 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1252 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Primer
8-PowerTDFN, 5 Leads
Osnovna številka izdelka
NTMFS4
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
NTMFS4C09NT1GOSTR
NTMFS4C09NT1GOSDKR
NTMFS4C09NT1G-DG
ONSNTMFS4C09NT1G
NTMFS4C09NT1GOSCT
2156-NTMFS4C09NT1G-OS
Standardni paket
1,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB021N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
NTMFS4C09NAT1G
MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
IPP027N08N5AKSA1
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
