Številka izdelka proizvajalca:

NTMKB4895NT1G

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

NTMKB4895NT1G-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 15A/66A 4ICEPAK

Podroben opis:

N-Channel 30 V 15A (Ta), 66A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 4-ICEPAK - B1 PAD (4.8x3.8)

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12939000

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

NTMKB4895NT1G Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

onsemi

Pakiranje

-

Serije

-

Stanje izdelka

Obsolete

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

30 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

15A (Ta), 66A (Tc)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

4.5V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

6mOhm @ 15A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

2.4V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

25 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

1644 pF @ 15 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

4-ICEPAK - B1 PAD (4.8x3.8)

Paket / Primer

4-ICEPAK

Osnovna številka izdelka

NTMKB4

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list

NTMKB4895NT1G-DG

Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket

1,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

onsemi

NVB190N65S3F

MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3

onsemi

NVGS5120PT1G

MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

renesas-electronics-america

NP15P04SLG-E1-AY

MOSFET P-CH 40V 15A TO252

renesas-electronics-america

NP82N03PUG-E1-AY

MOSFET N-CH 30V 82A TO263