NTS4173PT1G
Številka izdelka proizvajalca:

NTS4173PT1G

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

NTS4173PT1G-DG

Opis:

MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
Podroben opis:
P-Channel 30 V 1.2A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)

Zaloga:

21570 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12938031
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

NTS4173PT1G Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.2A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
150mOhm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
10.1 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
430 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
290mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SC-70-3 (SOT323)
Paket / Primer
SC-70, SOT-323
Osnovna številka izdelka
NTS4173

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
NTS4173PT1GOSCT
NTS4173PT1GOSTR
NTS4173PT1G-DG
NTS4173PT1GOSDKR
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
alpha-and-omega-semiconductor

AON6590A

MOSFET N-CH 40V 67A/100A 8DFN

onsemi

MGSF3442XT1

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

harris-corporation

RFL1N15

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

RJK6013DPP-00#T2

N-CHANNEL POWER MOSFET