Številka izdelka proizvajalca:
NTZD3155CT1G
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
NTZD3155CT1G-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Podroben opis:
Mosfet Array 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
Zaloga:
55534 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12856742
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NTZD3155CT1G Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
N and P-Channel
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
20V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
540mA, 430mA
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
550mOhm @ 540mA, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
150pF @ 16V
Moč - največja
250mW
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-563, SOT-666
Paket naprav dobavitelja
SOT-563
Osnovna številka izdelka
NTZD3155
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
2832-NTZD3155CT1GTR
NTZD3155CT1GOSTR
NTZD3155CT1GOSDKR
NTZD3155CT1GOSCT
Standardni paket
4,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NDS9959
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
NVMFD5C680NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
VEC2315-TL-H
MOSFET 2P-CH 60V 2.5A SOT28
