Številka izdelka proizvajalca:
NVB190N65S3
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
NVB190N65S3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 162W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
12848144
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NVB190N65S3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
SuperFET® III
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
20A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 430µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1605 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
162W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
NVB190
Dodatne informacije
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
NVB190N65S3F
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
752
ŠTEVILKA DELA
NVB190N65S3F-DG
CENA ENOTE
1.75
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NTNS3190NZT5G
MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA
AOWF11S65
MOSFET N-CH 650V 11A TO262F
AOT210L
MOSFET N-CH 30V 20A/105A TO220
