Številka izdelka proizvajalca:
NVJD4401NT1G
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
NVJD4401NT1G-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Podroben opis:
Mosfet Array 20V 630mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Zaloga:
50299 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12858177
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NVJD4401NT1G Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
20V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
630mA
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
375mOhm @ 630mA, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
46pF @ 20V
Moč - največja
270mW
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket naprav dobavitelja
SC-88/SC70-6/SOT-363
Osnovna številka izdelka
NVJD4401
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
NVJD4401NT1GOSDKR
NVJD4401NT1GOSTR
NVJD4401NT1G-DG
NVJD4401NT1GOSCT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NTMD6601NR2G
MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
UPA1952TE-T1-A
MOSFET 2P-CH 20V 2A SC95
NVMFD5C446NWFT1G
MOSFET 2N-CH 40V 24A/127A 8DFN
