NVMFWS021N10MCLT1G
Številka izdelka proizvajalca:

NVMFWS021N10MCLT1G

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

NVMFWS021N10MCLT1G-DG

Opis:

PTNG 100V LL SO8FL
Podroben opis:
N-Channel 100 V 8.4A (Ta), 31A (Tc) 3.6W (Ta), 49W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)

Zaloga:

13000698
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

NVMFWS021N10MCLT1G Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8.4A (Ta), 31A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
23mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 42µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
850 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.6W (Ta), 49W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount, Wettable Flank
Paket naprav dobavitelja
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Paket / Primer
8-PowerTDFN, 5 Leads

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
488-NVMFWS021N10MCLT1GTR
Standardni paket
1,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
goford-semiconductor

G50N03J

MOSFET N-CH 30V 65A TO-251

diodes

DMT64M1LCG-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333

diodes

DMP2067LSS-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.

diodes

DMNH6010SCTBQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R