Številka izdelka proizvajalca:
NVMJST2D6N08HTXG
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
NVMJST2D6N08HTXG-DG
Opis:
TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Podroben opis:
N-Channel 80 V 28A (Ta), 131.5A (Tc) 5.3W (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 10-TCPAK
Zaloga:
10 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13002826
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NVMJST2D6N08HTXG Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
28A (Ta), 131.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4405 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
5.3W (Ta), 116W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
10-TCPAK
Paket / Primer
10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
488-NVMJST2D6N08HTXGCT
488-NVMJST2D6N08HTXGTR
488-NVMJST2D6N08HTXGDKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMN2991UFB4Q-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
NVLJWS013N03CLTAG
T6 30V LL 2X2 WDFNW6
DMN31D4UFZ-7B
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606
