Številka izdelka proizvajalca:
NVMYS2D3N06CTWG
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
NVMYS2D3N06CTWG-DG
Opis:
T6 60V SL LFPAK4 5X6
Podroben opis:
N-Channel 60 V 28.7A (Ta), 171A (Tc) 3.8W (Ta), 134.4W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Zaloga:
13000958
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NVMYS2D3N06CTWG Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
28.7A (Ta), 171A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 180µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3584 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.8W (Ta), 134.4W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
LFPAK4 (5x6)
Paket / Primer
SOT-1023, 4-LFPAK
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
488-NVMYS2D3N06CTWGTR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMT12H060LFDF-7
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
TSM60NB1R4CP
600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
DMP22D5UFO-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0604-
