Številka izdelka proizvajalca:
NXH010P120MNF1PNG
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
NXH010P120MNF1PNG-DG
Opis:
SIC 2N-CH 1200V 114A
Podroben opis:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 114A (Tc) 250W (Tj) Chassis Mount
Zaloga:
12973308
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NXH010P120MNF1PNG Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tray
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
-
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200V (1.2kV)
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
114A (Tc)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
14mOhm @ 100A, 20V
vgs(th) (maks) @ id
4.3V @ 40mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
454nC @ 20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4707pF @ 800V
Moč - največja
250W (Tj)
Delovna temperatura
-40°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Chassis Mount
Paket / Primer
Module
Paket naprav dobavitelja
-
Osnovna številka izdelka
NXH010
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
488-NXH010P120MNF1PNG
Standardni paket
28
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
PJL9824_R2_00001
MOSFET 2N-CH 40V 13A 8SOP
PJT7812_R1_00001
MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT363
PJQ5846-AU_R2_000A1
MOSFET 2N-CH 40V 9.5A/40A 8DFN