RFD14N05LSM
Številka izdelka proizvajalca:

RFD14N05LSM

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

RFD14N05LSM-DG

Opis:

MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Podroben opis:
N-Channel 50 V 14A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Zaloga:

39191 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12936849
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

RFD14N05LSM Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
50 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
14A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
100mOhm @ 14A, 5V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
670 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
48W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252AA
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
RFD14N05

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
RFD14N05LSM-NDR
FAIFSCRFD14N05LSM
2156-RFD14N05LSM-OS
Standardni paket
75

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
renesas-electronics-america

UPA2723T1A-E2-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

texas-instruments

TPIC2322LD

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

renesas-electronics-america

UPA2751GR-E1-A

N-CHANNEL POWER MOSFET

infineon-technologies

BSC070N10NS5SCATMA1

MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON