RFD16N06LESM9A
Številka izdelka proizvajalca:

RFD16N06LESM9A

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

RFD16N06LESM9A-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
Podroben opis:
N-Channel 60 V 16A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Zaloga:

4847 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12858472
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

RFD16N06LESM9A Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
16A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
47mOhm @ 16A, 5V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (maks)
+10V, -8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1350 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
90W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252AA
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
RFD16N06

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
RFD16N06LESM
HTML tehnični list
RFD16N06LESM9A-DG
Tehnični listi
RFD16N06LESM9A

Dodatne informacije

Druga imena
RFD16N06LESM9A-DG
RFD16N06LESM9ACT
RFD16N06LESM9ADKR
RFD16N06LESM9ATR
Standardni paket
2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
onsemi

NTP5860NG

MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB

vishay-siliconix

IRF3205ZSTRR

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

onsemi

NTQS6463R2

MOSFET P-CH 20V 6.8A 8TSSOP

onsemi

NTD20N06LT4

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK