Številka izdelka proizvajalca:
RFD4N06LSM9A
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
RFD4N06LSM9A-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA
Podroben opis:
N-Channel 60 V 4A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Zaloga:
12858200
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RFD4N06LSM9A Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
600mOhm @ 1A, 5V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±10V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
30W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252AA
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
RFD4N
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NTR4501NT1G
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
NVMFS5C430NAFT1G
MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
NTD6415ANLT4G
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
