Številka izdelka proizvajalca:
SI3442DV
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
SI3442DV-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6
Podroben opis:
N-Channel 20 V 4.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Zaloga:
12857705
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI3442DV Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4.1A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.7V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
60mOhm @ 4.1A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
365 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.6W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SuperSOT™-6
Paket / Primer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Osnovna številka izdelka
SI344
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FDC653N
PROIZVAJALEC
Fairchild Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
2505
ŠTEVILKA DELA
FDC653N-DG
CENA ENOTE
0.23
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NTB65N02RT4G
MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
NVATS5A112PLZT4G
MOSFET P-CH 60V 27A ATPAK
NP82N04PDG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 82A TO263
