Številka izdelka proizvajalca:
SI4532DY
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
SI4532DY-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 30V 3.9A 8SOIC
Podroben opis:
Mosfet Array 30V 3.9A, 3.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
25774 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12858843
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI4532DY Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
N and P-Channel
Funkcija FET
-
Odtok do napetosti vira (vdss)
30V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3.9A, 3.5A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
65mOhm @ 3.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
15nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
235pF @ 10V
Moč - največja
900mW
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Osnovna številka izdelka
SI4532
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SI4532DYDKR
SI4532DY-DG
SI4532DYTR
SI4532DYCT
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NTLUD3191PZTBG
MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
NTLUD3A50PZTBG
MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN
NTHD5905T1
MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET
