FC6946010R
Številka izdelka proizvajalca:

FC6946010R

Product Overview

Proizvajalec:

Panasonic Electronic Components

DiGi Electronics Številka dela:

FC6946010R-DG

Opis:

MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SSMINI6
Podroben opis:
Mosfet Array 60V 100mA 125mW Surface Mount SSMini6-F3-B

Zaloga:

12860290
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FC6946010R Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Panasonic
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
60V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100mA
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
12Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 1µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
12pF @ 3V
Moč - največja
125mW
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-563, SOT-666
Paket naprav dobavitelja
SSMini6-F3-B
Osnovna številka izdelka
FC694601

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
FC6946010RDKR
FC6946010RTR
FC6946010RCT
Standardni paket
8,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
onsemi

NSTJD4001NT1G

MOSFET P-CH SC88

onsemi

NDC7001C

MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6

vishay-siliconix

VQ2001P

MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP

panasonic

FC6546010R

MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SMINI6-F3