FJ4B01120L1
Številka izdelka proizvajalca:

FJ4B01120L1

Product Overview

Proizvajalec:

Panasonic Electronic Components

DiGi Electronics Številka dela:

FJ4B01120L1-DG

Opis:

MOSFET P-CH 12V 2.6A ULGA004
Podroben opis:
P-Channel 12 V 2.6A (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount ULGA004-W-1010-RA01

Zaloga:

12864610
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FJ4B01120L1 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Panasonic
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
12 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.6A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
51mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 2mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
10.7 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
814 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
370mW (Ta)
Delovna temperatura
-40°C ~ 85°C (TA)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
ULGA004-W-1010-RA01
Paket / Primer
4-XFLGA, CSP

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
P123943CT
P123943TR
P123943DKR
Standardni paket
1,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
KFJ4B01120L
PROIZVAJALEC
Nuvoton Technology Corporation
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
KFJ4B01120L-DG
CENA ENOTE
0.38
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
panasonic

SK8403180L

MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSO

microchip-technology

VN0106N3-G

MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3

panasonic

FJ4B01100L1

MOSFET P-CH 12V 2.2A XLGA004

vishay-siliconix

IRF840ASTRRPBF

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK