Številka izdelka proizvajalca:
SK8603170L
Product Overview
Proizvajalec:
Panasonic Electronic Components
DiGi Electronics Številka dela:
SK8603170L-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 20A/59A 8HSO
Podroben opis:
N-Channel 30 V 20A (Ta), 59A (Tc) 2.8W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount HSO8-F4-B
Zaloga:
2947 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12865114
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SK8603170L Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Panasonic
Pakiranje
Cut Tape (CT)
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
20A (Ta), 59A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 2.56mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2940 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.8W (Ta), 24W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
HSO8-F4-B
Paket / Primer
8-PowerSMD, Flat Leads
Dodatne informacije
Druga imena
P16269TR
P16269DKR
P16269CT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
MTMF82310BBF
MOSFET N-CH 30V 18A SO8-F1-B
SK8603190L
MOSFET N-CH 30V 12A/19A 8HSO
FJ4B01110L1
MOSFET P-CH 12V 1.4A ALGA004
