PJD100P03_L2_00001
Številka izdelka proizvajalca:

PJD100P03_L2_00001

Product Overview

Proizvajalec:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Številka dela:

PJD100P03_L2_00001-DG

Opis:

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Podroben opis:
P-Channel 30 V 15.8A (Ta), 100A (Tc) 2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount TO-252

Zaloga:

12971978
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

PJD100P03_L2_00001 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
PANJIT
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
15.8A (Ta), 100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6067 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2W (Ta), 104W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
PJD100

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
3757-PJD100P03_L2_00001TR
3757-PJD100P03_L2_00001CT
3757-PJD100P03_L2_00001DKR
Standardni paket
90,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
onsemi

NTMT185N60S5H

SUPERFET5 FAST 185MOHM PQFN88

panjit

PJL9433A_R2_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

microchip-technology

APT12060LVRG

MOSFET N-CH 1200V 20A TO264

panjit

PJQ4463AP-AU_R2_000A1

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M