Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
DR Kongo
Argentina
Turčija
Romunija
Litva
Norveška
Avstrija
Angola
Slovaška
ltaly
Finska
Belorusija
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Črna gora
Ruščina
Belgija
Švedska
Srbija
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Moldavija
Nemčija
Nizozemska
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
Francija
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Portugalska
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Španija
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
PJD14P06A_L2_00001
Product Overview
Proizvajalec:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Številka dela:
PJD14P06A_L2_00001-DG
Opis:
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Podroben opis:
P-Channel 60 V 3.2A (Ta), 14A (Tc) 3.2W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount TO-252
Zaloga:
2965 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12974357
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
PJD14P06A_L2_00001 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
PANJIT
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3.2A (Ta), 14A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
110mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
785 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.2W (Ta), 40W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
PJD14
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
PJU14P06A / PJD14P06A
Dodatne informacije
Druga imena
3757-PJD14P06A_L2_00001TR
3757-PJD14P06A_L2_00001CT
3757-PJD14P06A_L2_00001DKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
PJQ4476AP-AU_R2_000A1
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
PJL9415_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
EPC7014UBC
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
PJD3NA50_L2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET