Številka izdelka proizvajalca:
PJP2NA1K_T0_00001
Product Overview
Proizvajalec:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Številka dela:
PJP2NA1K_T0_00001-DG
Opis:
1000V N-CHANNEL MOSFET
Podroben opis:
N-Channel 1000 V 2A (Ta) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Zaloga:
12971211
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
2nfI
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
PJP2NA1K_T0_00001 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
PANJIT
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1000 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
385 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
80W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
PJP2
Dodatne informacije
Druga imena
3757-PJP2NA1K_T0_00001
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
PJA3435_R1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ5466A-AU_R2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ4446P_R2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
