Številka izdelka proizvajalca:
PJQ4476AP_R2_00001
Product Overview
Proizvajalec:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Številka dela:
PJQ4476AP_R2_00001-DG
Opis:
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Podroben opis:
N-Channel 100 V 6.3A (Ta), 35A (Tc) 2W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount DFN3333-8
Zaloga:
12971787
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
PJQ4476AP_R2_00001 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
PANJIT
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6.3A (Ta), 35A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
25mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1519 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2W (Ta), 62W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DFN3333-8
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
PJQ4476
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
3757-PJQ4476AP_R2_00001TR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
PJQ4476AP-AU_R2_000A1
PROIZVAJALEC
Panjit International Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
4898
ŠTEVILKA DELA
PJQ4476AP-AU_R2_000A1-DG
CENA ENOTE
0.35
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AOWF160A60
MOSFET N-CH 600V 24A TO262F
PJL9422_R2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJL9416_R2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
