PJS6403_S1_00001

Številka izdelka proizvajalca:

PJS6403_S1_00001

Product Overview

Proizvajalec:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Številka dela:

PJS6403_S1_00001-DG

Opis:

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Podroben opis:

P-Channel 30 V 6.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-23-6

Zaloga:

420 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

12997476

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

PJS6403_S1_00001 Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

PANJIT

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

-

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

P-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

30 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

6.4A (Ta)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

4.5V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

32mOhm @ 4A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

2.5V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

7.8 nC @ 4.5 V

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

870 pF @ 15 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

2W (Ta)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

SOT-23-6

Paket / Primer

SOT-23-6

Osnovna številka izdelka

PJS6403

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena

3757-PJS6403_S1_00001TR

3757-PJS6403_S1_00001DKR

Standardni paket

3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

goford-semiconductor

GT52N10D5

MOSFET N-CH 100V 71A DFN5*6-8L

nexperia

PXP012-30QLJ

P-CHANNEL TRENCH MOSFET

epc-space

FBG10N30BC

GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B

FDC638P-P

MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6