Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
PJS6601_S2_00001
Product Overview
Proizvajalec:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Številka dela:
PJS6601_S2_00001-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 20V 4.1A SOT23-6
Podroben opis:
Mosfet Array 20V 4.1A (Ta), 3.1A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12972964
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
PJS6601_S2_00001 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
PANJIT
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Not For New Designs
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
N and P-Channel Complementary
Funkcija FET
-
Odtok do napetosti vira (vdss)
20V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4.1A (Ta), 3.1A (Ta)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
56mOhm @ 4.1A, 4.5V, 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
4.6nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
350pF @ 10V, 416pF @ 10V
Moč - največja
1.25W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-23-6
Paket naprav dobavitelja
SOT-23-6
Osnovna številka izdelka
PJS6601
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
PJS6601
Dodatne informacije
Druga imena
3757-PJS6601_S2_00001TR
3757-PJS6601_S2_00001CT
3757-PJS6601_S2_00001DKR
Standardni paket
10,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
PJX8808_R1_00001
MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT563
PJX8872B_R1_00001
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT563
CAB006A12GM3
SIC 2N-CH 1200V 200A
SP8M51HZGTB
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP