Številka izdelka proizvajalca:
2SD2106-E
Product Overview
Proizvajalec:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Številka dela:
2SD2106-E-DG
Opis:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Podroben opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 6 A 2 W Through Hole TO-220FM
Zaloga:
1147 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12933182
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
2SD2106-E Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Enojni bipolarni tranzistorji
Proizvajalec
Renesas Electronics Corporation
Pakiranje
Bulk
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
NPN - Darlington
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
6 A
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
120 V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
3V @ 60mA, 6A
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
10µA
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 3A, 3V
Moč - največja
2 W
Frekvenca - prehod
-
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Paket naprav dobavitelja
TO-220FM
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
2156-2SD2106-E
RENRNS2SD2106-E
Standardni paket
171
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SMUN2130T1
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
2SD1286-Z-E1-AZ
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
2SB1229T-AA
PNP SILICON TRANSISTOR
