Številka izdelka proizvajalca:
2SK1340-E
Product Overview
Proizvajalec:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Številka dela:
2SK1340-E-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 5A TO3P
Podroben opis:
N-Channel 900 V 5A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Zaloga:
12860359
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
2SK1340-E Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Renesas Electronics Corporation
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
900 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
-
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
740 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
100W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-3P
Paket / Primer
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovna številka izdelka
2SK1340
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Standardni paket
1
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NVMFS5C645NLWFT3G
MOSFET N-CH 60V 22A 5DFN
IPB156N22NFDATMA1
MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
NP110N04PUG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 110A TO263