Številka izdelka proizvajalca:
2SK3900-ZP-E1-AZ
Product Overview
Proizvajalec:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Številka dela:
2SK3900-ZP-E1-AZ-DG
Opis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Podroben opis:
Zaloga:
2700 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12938394
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
2SK3900-ZP-E1-AZ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Renesas Electronics Corporation
Pakiranje
Bulk
Serije
*
Stanje izdelka
Active
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
2156-2SK3900-ZP-E1-AZ
RENRNS2SK3900-ZP-E1-AZ
Standardni paket
145
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RJL5012DPP-00#T2
N-CHANNEL POWER MOSFET
NTBG160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
2SK4085LS-1E
N-CHANNEL SILICON MOSFET
