Številka izdelka proizvajalca:
H7N1002LSTL-E
Product Overview
Proizvajalec:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Številka dela:
H7N1002LSTL-E-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK
Podroben opis:
N-Channel 100 V 75A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount LDPAK
Zaloga:
12861702
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
H7N1002LSTL-E Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Renesas Electronics Corporation
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
75A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10mOhm @ 37.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
-
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
9700 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
100W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
LDPAK
Paket / Primer
SC-83
Osnovna številka izdelka
H7N1002
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
PSMN015-100B,118
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
2021
ŠTEVILKA DELA
PSMN015-100B,118-DG
CENA ENOTE
0.81
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NP60N04KUG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 60A TO263
RJK6012DPE-00#J3
MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK
RJK5015DPK-00#T0
MOSFET N-CHANNEL 500V 25A TO3P
