Številka izdelka proizvajalca:
HAT2168HWS-E
Product Overview
Proizvajalec:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Številka dela:
HAT2168HWS-E-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK
Podroben opis:
N-Channel 30 V 30A (Ta) 15W (Tc) Surface Mount LFPAK
Zaloga:
12858101
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
HAT2168HWS-E Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Renesas Electronics Corporation
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
30A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
7.9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1730 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
15W (Tc)
Delovna temperatura
150°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
LFPAK
Paket / Primer
SC-100, SOT-669
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NTF3055-100T1G
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
2SK1775-E
MOSFET N-CH 900V 8A TO3P
IRFBC30L
MOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK
