Številka izdelka proizvajalca:
N0413N-ZK-E1-AY
Product Overview
Proizvajalec:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Številka dela:
N0413N-ZK-E1-AY-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Podroben opis:
N-Channel 40 V 100A (Ta) 1.5W (Ta), 119W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
4000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12854312
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
N0413N-ZK-E1-AY Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Renesas Electronics Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
-
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5550 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.5W (Ta), 119W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
N0413N-ZK-E1
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
-1161-N0413N-ZK-E1-AYCT
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SPB160N04S2L03DTMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
MGSF1N03LT1G
MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
MCH3475-TL-E
MOSFET N-CH 30V 1.8A SC70