Številka izdelka proizvajalca:
NP100N04PUK-E1-AY
Product Overview
Proizvajalec:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Številka dela:
NP100N04PUK-E1-AY-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Podroben opis:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 176W (Tc) Surface Mount TO-263
Zaloga:
1600 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12861398
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NP100N04PUK-E1-AY Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Renesas Electronics Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
-
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
7050 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.8W (Ta), 176W (Tc)
Delovna temperatura
175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263
Paket / Primer
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Osnovna številka izdelka
NP100N04
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Risbe izdelkov
Dodatne informacije
Druga imena
-1161-NP100N04PUK-E1-AY
NP100N04PUK-E1-AY-DG
-1161-NP100N04PUK-E1-AYCT
559-NP100N04PUK-E1-AYTR
-1161-NP100N04PUK-E1-AYTR-DG
-1161-NP100N04PUK-E1-AYTR
-1161-NP100N04PUK-E1-AY-DG
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF7464
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO
MTM231232LBF
MOSFET P-CH 20V 3A SMINI3-G1-B
IRLR8256PBF
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
