Številka izdelka proizvajalca:
NP110N04PUK-E1-AY
Product Overview
Proizvajalec:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Številka dela:
NP110N04PUK-E1-AY-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Podroben opis:
N-Channel 40 V 110A (Tc) 1.8W (Ta), 348W (Tc) Surface Mount TO-263-3
Zaloga:
1554 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12860105
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NP110N04PUK-E1-AY Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Renesas Electronics Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
110A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.4mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
297 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
15750 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.8W (Ta), 348W (Tc)
Delovna temperatura
175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263-3
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
NP110N04
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
-1161-NP110N04PUK-E1-AYTR-DG
-1161-NP110N04PUK-E1-AY
-1161-NP110N04PUK-E1-AYTR
-1161-NP110N04PUK-E1-AY-DG
NP110N04PUK-E1-AY-DG
559-NP110N04PUK-E1-AYCT
559-NP110N04PUK-E1-AYTR
559-NP110N04PUK-E1-AYDKR
-1161-NP110N04PUK-E1-AYCT
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NTP082N65S3F
MOSFET N-CH 650V 40A TO220-3
NP100P04PLG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
NP60N055VUK-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
