Številka izdelka proizvajalca:
NP80N055MHE-S18-AY
Product Overview
Proizvajalec:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Številka dela:
NP80N055MHE-S18-AY-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220-3
Zaloga:
12860198
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NP80N055MHE-S18-AY Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Renesas Electronics Corporation
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
55 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
80A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
11mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3600 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.8W (Ta), 120W (Tc)
Delovna temperatura
175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Dodatne informacije
Standardni paket
1
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STP80NF55-08
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
48
ŠTEVILKA DELA
STP80NF55-08-DG
CENA ENOTE
1.25
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
ZSPM9000AI1R
MOSFET N-CH
NP22N055SLE-E1-AZ
TRANSISTOR
NTMFS5C410NLTT3G
MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
