NP90N055VUK-E1-AY
Številka izdelka proizvajalca:

NP90N055VUK-E1-AY

Product Overview

Proizvajalec:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics Številka dela:

NP90N055VUK-E1-AY-DG

Opis:

MOSFET N-CH 55V 90A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 55 V 90A (Tc) 1.2W (Ta), 147W (Tc) Surface Mount TO-252-3

Zaloga:

4797 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12860784
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

NP90N055VUK-E1-AY Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Renesas Electronics Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
55 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
90A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.85mOhm @ 45A, 5V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6000 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.2W (Ta), 147W (Tc)
Delovna temperatura
175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252-3
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
NP90N055

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
Risbe izdelkov

Dodatne informacije

Druga imena
559-NP90N055VUK-E1-AYTR
NP90N055VUK-E1-AY-DG
559-NP90N055VUK-E1-AYDKR
-1161-NP90N055VUK-E1-AY
559-NP90N055VUK-E1-AYCT
-1161-NP90N055VUK-E1-AY-DG
-1161-NP90N055VUK-E1-AYCT
Standardni paket
2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
infineon-technologies

IRLR8743TRPBF

MOSFET N-CH 30V 160A DPAK

onsemi

NTD4969NT4G

MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A DPAK

onsemi

NTMFS4C08NT1G

MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN