Številka izdelka proizvajalca:
RJK03M4DPA-00#J5A
Product Overview
Proizvajalec:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Številka dela:
RJK03M4DPA-00#J5A-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Podroben opis:
N-Channel 30 V 35A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount 8-WPAK
Zaloga:
6000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12864437
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RJK03M4DPA-00#J5A Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Renesas Electronics Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
35A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.6mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
-
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2170 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
30W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-WPAK
Paket / Primer
8-WFDFN Exposed Pad
Osnovna številka izdelka
RJK03M4
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
-1161-RJK03M4DPA-00#J5ACT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF540STRR
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
IRFSL7534PBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO262
IRF9540PBF
MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
