Številka izdelka proizvajalca:
UPA2814T1S-E2-AT
Product Overview
Proizvajalec:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Številka dela:
UPA2814T1S-E2-AT-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON
Podroben opis:
P-Channel 30 V 24A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
Zaloga:
10000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12860130
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
UPA2814T1S-E2-AT Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Renesas Electronics Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
24A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
7.8mOhm @ 24A, 5V
vgs(th) (maks) @ id
-
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2800 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.5W (Ta)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-HWSON (3.3x3.3)
Paket / Primer
8-PowerWDFN
Osnovna številka izdelka
UPA2814
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
-1161-UPA2814T1S-E2-ATCT
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NVTFS4C08NWFTAG
MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
NTMFSC1D6N06CL
MOSFET N-CH 60V 36A/235A 8DFN
NILMS4501NR2
MOSFET N-CH 24V 9.5A 4PLLP
