Številka izdelka proizvajalca:
EM6M1T2R
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
EM6M1T2R-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Podroben opis:
Mosfet Array 30V, 20V 100mA, 200mA 150mW Surface Mount EMT6
Zaloga:
13521832
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
EM6M1T2R Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Not For New Designs
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
N and P-Channel
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
30V, 20V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100mA, 200mA
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
8Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (maks) @ id
-
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
0.9nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
13pF @ 5V
Moč - največja
150mW
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-563, SOT-666
Paket naprav dobavitelja
EMT6
Osnovna številka izdelka
EM6M1
Dodatne informacije
Druga imena
Q8377399
EM6M1T2RTR
EM6M1T2RCT
EM6M1T2RDKR
Standardni paket
8,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
NTJD4158CT1G
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
14230
ŠTEVILKA DELA
NTJD4158CT1G-DG
CENA ENOTE
0.09
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
SI1035X-T1-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
6387
ŠTEVILKA DELA
SI1035X-T1-GE3-DG
CENA ENOTE
0.12
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
NX3008CBKV,115
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
15002
ŠTEVILKA DELA
NX3008CBKV,115-DG
CENA ENOTE
0.06
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSM080D12P2C008
SIC 2N-CH 1200V 80A MODULE
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
EM6K31T2R
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6