Številka izdelka proizvajalca:
EMB11FHAT2R
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
EMB11FHAT2R-DG
Opis:
TRANS 2PNP 100MA EMT6
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Zaloga:
3380 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13523974
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
EMB11FHAT2R Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi, prednapolnjeni
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta tranzistorja
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
-
Upor - osnova (R1)
10kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
10kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
-
Frekvenca - prehod
250MHz
Moč - največja
150mW
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-563, SOT-666
Paket naprav dobavitelja
EMT6
Osnovna številka izdelka
EMB11
Dodatne informacije
Druga imena
EMB11FHAT2RDKR
EMB11FHAT2RCT
EMB11FHAT2RTR
Standardni paket
8,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
