Številka izdelka proizvajalca:
EMG11T2R
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
EMG11T2R-DG
Opis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Zaloga:
13785 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13520684
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
EMG11T2R Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi, prednapolnjeni
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50V
Upor - osnova (R1)
2.2kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
47kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
500nA
Frekvenca - prehod
250MHz
Moč - največja
150mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Paket naprav dobavitelja
EMT5
Osnovna številka izdelka
EMG11
Tehnični list in dokumenti
Viri za oblikovanje
Dokumenti o zanesljivosti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
EMG11T2RDKR
EMG11T2RTR
EMG11T2RCT
Standardni paket
8,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
EMB2T2R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMG9T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
EMH2T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6