Številka izdelka proizvajalca:
QH8M22TCR
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
QH8M22TCR-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/2A TSMT8
Podroben opis:
Mosfet Array 40V 4.5A (Ta), 2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
Zaloga:
18281 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13526163
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
QH8M22TCR Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
N and P-Channel
Funkcija FET
-
Odtok do napetosti vira (vdss)
40V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4.5A (Ta), 2A (Ta)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
193pF @ 20V, 450pF @ 20V
Moč - največja
1.1W (Ta)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SMD, Flat Lead
Paket naprav dobavitelja
TSMT8
Osnovna številka izdelka
QH8M22
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
QH8M22TCRTR
QH8M22TCRCT
QH8M22TCRDKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
US6M2GTR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
QS8M13TCR
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
SP8K3FU6TB
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP