Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
QS8J5TR
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
QS8J5TR-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8
Podroben opis:
Mosfet Array 30V 5A 600mW Surface Mount TSMT8
Zaloga:
2587 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13524904
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
QS8J5TR Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Not For New Designs
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 P-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
30V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
39mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
19nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1100pF @ 10V
Moč - največja
600mW
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SMD, Flat Lead
Paket naprav dobavitelja
TSMT8
Osnovna številka izdelka
QS8J5
Tehnični list in dokumenti
Viri za oblikovanje
TSMT8D Inner Structure
Dokumenti o zanesljivosti
TSMT8 MOS Reliability Test
Podatkovni listi
QS8J5TR
TSMT8 TR Taping Spec
Dodatne informacije
Druga imena
846-QS8J5TR
QS8J5TR-ND
846-QS8J5CT
846-QS8J5DKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
ECH8667-TL-H
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
2555
ŠTEVILKA DELA
ECH8667-TL-H-DG
CENA ENOTE
0.34
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SP8K5TB
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOP
SP8K31FRATB
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
HS8K1TB
MOSFET 2N-CH 30V 10A/11A HSML
SH8KA1GZETB
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOP