Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
R6009JND3TL1
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
R6009JND3TL1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Podroben opis:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252
Zaloga:
2490 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13524213
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
R6009JND3TL1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
15V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
585mOhm @ 4.5A, 15V
vgs(th) (maks) @ id
7V @ 1.38mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
22 nC @ 15 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
645 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
R6009
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
R6009JND3TL1
Dodatne informacije
Druga imena
R6009JND3TL1TR
R6009JND3TL1DKR
R6009JND3TL1CT
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
TK10P60W,RVQ
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
5042
ŠTEVILKA DELA
TK10P60W,RVQ-DG
CENA ENOTE
1.18
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
STD8N60DM2
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
3630
ŠTEVILKA DELA
STD8N60DM2-DG
CENA ENOTE
0.54
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
CDM7-600LR TR13 PBFREE
PROIZVAJALEC
Central Semiconductor Corp
KOLIČINA NA VOLJO
2239
ŠTEVILKA DELA
CDM7-600LR TR13 PBFREE-DG
CENA ENOTE
0.57
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IXTY8N70X2
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
49
ŠTEVILKA DELA
IXTY8N70X2-DG
CENA ENOTE
1.41
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
TK8P60W5,RVQ
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
15461
ŠTEVILKA DELA
TK8P60W5,RVQ-DG
CENA ENOTE
0.60
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RF4E060AJTCR
MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
QS5U28TR
MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5
RCD080N25TL
MOSFET N-CH 250V 8A CPT3
R6020KNZ1C9
MOSFET N-CH 600V 20A TO247